[新聞] 大陸製DUV生產65奈米晶片硬扯8奈米 遭中
https://udn.com/news/story/7333/8233652
大陸製DUV生產65奈米晶片硬扯8奈米 遭中外媒體打臉
林宸誼
大陸工信部9月初公布的「首台（套）重大技術裝備推廣應用指導目錄（2024年版）」的
通知中，列出全新自製DUV曝光機，分辨率為5nm，套刻精度nm，讓許多大陸民眾樂
翻，高喊大陸突破美國封鎖，「可生產8奈米晶片」。
沒想到卻慘遭中外媒體打臉，認為此款新的DUV曝光機僅能生產65奈米或以下晶片，有人
看到「套刻8nm」就認為這是8奈米曝光機，令人啼笑皆非。
大陸科技媒體「芯智訊」報導，根據大陸工信部公布的資料顯示，「積體電路生產裝備」
項目列出氟化氪曝光機和氟化氬曝光機，氟化氪曝光機就是老式的248奈米光源的KrF曝光
機，分辨率為10nm，套刻精度5nm；氟化氬曝光機則是193奈米光源的ArF曝光機（
DUV曝光機），但揭露的這款仍是乾式DUV曝光機，而非更先進的浸沒式DUV曝光機（也稱
為ArFi曝光機）。
從工信部揭露的參數來看，此DUV曝光機解析度為5nm，套刻精度nm。雖然相比之前
上微的SSA600曝光機有所提升（解析度為90nm），仍並未達到可以生產28奈米晶片的程度
，更達不到製造什麼8奈米、7奈米晶片的程度，許多網友直接把套刻精度跟曝光製程節點
水平搞混。
報導指出，65nm的分辨率，代表能夠達到的製程節點大概就是「65奈米」左右。有人一看
到「套刻8nm」就認為是8奈米曝光機，令人啼笑皆非。
套刻精度則指的是每一層曝光層之間的對準精度。眾所周知，晶片的製造過程，是將很多
層的曝光圖案一層一層的實現，並堆疊而成。一層圖案曝光完成後，需要再在上面繼續進
行下一層圖案的曝光，而兩層之間需要精準對準，這個對準的精度就是套刻精度，並不是
指能夠製造的晶片的工藝製程節點。
科技媒體「WccfTech」則認為，大陸新公布國產DUV曝光機至少落後美國15年，因為荷蘭
半導體設備巨擘 ASML 的客戶，至少在 2009 年就可以透過ArF 曝光機生產晶片。
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